Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4386DY-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète75M5463
Bandes découpées85W2146
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 37 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 2500 | 1,070 $ | 2 675,00 $ |
| Total Prix | 2 675,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,070 $ |
| 5000+ | 1,050 $ |
| 7500+ | 1,030 $ |
| 12500+ | 1,000 $ |
| 25000+ | 0,983 $ |
| 62500+ | 0,962 $ |
| 125000+ | 0,941 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,430 $ |
| 5000+ | 1,410 $ |
| 7500+ | 1,380 $ |
| 12500+ | 1,350 $ |
| 25000+ | 1,320 $ |
| 62500+ | 1,290 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4386DY-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète75M5463
Bandes découpées85W2146
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.007ohm
On Resistance Rds(on)0.0058ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.1W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation3.1W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.007ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
On Resistance Rds(on)
0.0058ohm
Power Dissipation Pd
3.1W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4386DY-T1-E3
4 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
