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SI4425FDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 18.3 A, 0.0095 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4425FDY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande42AJ0614
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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| 2500+ | 0,517 $ |
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4425FDY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande42AJ0614
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id18.3A
Drain Source On State Resistance0.0095ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation4.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
18.3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SI4425FDY-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits