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SI4430BDY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 20 A, 0.0045 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4430BDY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande16P3737
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 37 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 2,100 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
5 250,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4430BDY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande16P3737
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id20A
On Resistance Rds(on)0.0037ohm
Drain Source On State Resistance0.0045ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.6W
Rds(on) Test Voltage20V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0037ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source On State Resistance
0.0045ohm
Power Dissipation Pd
1.6W
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4430BDY-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit