Imprimer la page
SI4435DDY-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4435DDY-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande
Bobine complète29X0534
Bandes découpées16P3739
Votre numéro de pièce
2 500 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison standard gratuite
pour les commandes de plus de 200$
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 2500 | 0,581 $ | 1 452,50 $ |
| Total Prix | 1 452,50 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,581 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,430 $ |
| 7500+ | 0,379 $ |
| 12500+ | 0,373 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4435DDY-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande
Bobine complète29X0534
Bandes découpées16P3739
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id11.4A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
On Resistance Rds(on)0.0195ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd5W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Aperçu du produit
The SI4435DDY-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and battery switch applications.
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
11.4A
On Resistance Rds(on)
0.0195ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4435DDY-T1-E3
4 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (10-Jun-2022)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits