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SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 12.6A, 150DEG C, 4.8W
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4435FDY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6293
Mise en bobine75AH9203RL
Bandes découpées75AH9203
Gamme de produitTrenchFET III
Votre numéro de pièce
45 605 En Stock
45 605 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,150 $ | 5,75 $ |
| Total Prix | 5,75 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,150 $ |
| 10+ | 0,742 $ |
| 15+ | 0,683 $ |
| 25+ | 0,624 $ |
| 50+ | 0,566 $ |
| 125+ | 0,507 $ |
| 250+ | 0,456 $ |
| 500+ | 0,405 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,378 $ |
| 5000+ | 0,361 $ |
| 10000+ | 0,325 $ |
| 20000+ | 0,297 $ |
| 30000+ | 0,279 $ |
| 50000+ | 0,259 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4435FDY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6293
Mise en bobine75AH9203RL
Bandes découpées75AH9203
Gamme de produitTrenchFET III
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12.6A
On Resistance Rds(on)0.015ohm
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd4.8W
Power Dissipation4.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET III
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.015ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
4.8W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET III
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
12.6A
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
4.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Produits de remplacement pour SI4435FDY-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit