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SI4459BDY-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -30V, -27.8A, SOIC
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4459BDY-T1-GE3
Code Commande56AC6588
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4459BDY-T1-GE3
Code Commande56AC6588
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id27.8A
On Resistance Rds(on)0.0041ohm
Drain Source On State Resistance4900µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd5.6W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation5.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0041ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
5.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
27.8A
Drain Source On State Resistance
4900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4459BDY-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit
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