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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4459BDY-T1-GE3
Code Commande56AC6588
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
3 421 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 2,230 $ |
10+ | 1,670 $ |
25+ | 1,570 $ |
50+ | 1,480 $ |
100+ | 1,390 $ |
250+ | 1,290 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
11,15 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4459BDY-T1-GE3
Code Commande56AC6588
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id27.8A
On Resistance Rds(on)0.0041ohm
Drain Source On State Resistance0.0041ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd5.6W
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation5.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0041ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
27.8A
Drain Source On State Resistance
0.0041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5.6W
Power Dissipation
5.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4459BDY-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits