Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4490DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète15R5042
Mise en bobine23T8513RL
Bandes découpées23T8513
Votre numéro de pièce
1 En Stock
1 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,840 $ | 4,84 $ |
| Total Prix | 4,84 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,840 $ |
| 50+ | 3,040 $ |
| 100+ | 2,440 $ |
| 250+ | 2,100 $ |
| 500+ | 1,750 $ |
| 1000+ | 1,630 $ |
| 2500+ | 1,580 $ |
| 5000+ | 1,550 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 2,090 $ |
| 7500+ | 2,040 $ |
| 12500+ | 2,000 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4490DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète15R5042
Mise en bobine23T8513RL
Bandes découpées23T8513
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id2.85A
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation3.1W
Power Dissipation Pd3.1W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
- N-channel 200V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.1W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.85A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI4490DY-T1-GE3
1 produit trouvé
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
