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SI4532CDY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.047 ohm
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4532CDY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète15R5049
Mise en bobine05W6945RL
Bandes découpées05W6945
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 37 semaine(s)
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 2500 | 0,528 $ | 1 320,00 $ |
| Total Prix | 1 320,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,528 $ |
| 5000+ | 0,517 $ |
| 7500+ | 0,507 $ |
| 12500+ | 0,496 $ |
| 25000+ | 0,487 $ |
| 62500+ | 0,475 $ |
| 125000+ | 0,464 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,441 $ |
| 5000+ | 0,431 $ |
| 10000+ | 0,400 $ |
| 20000+ | 0,371 $ |
| 30000+ | 0,347 $ |
| 50000+ | 0,331 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4532CDY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète15R5049
Mise en bobine05W6945RL
Bandes découpées05W6945
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.047ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.089ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.78W
Power Dissipation P Channel2.78W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
The SI4532CDY-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.089ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.78W
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.047ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit