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SI4559ADY-T1-E3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4559ADY-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande75M5474
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 2,430 $ |
| 5000+ | 2,140 $ |
| 7500+ | 1,930 $ |
| 12500+ | 1,720 $ |
| 25000+ | 1,500 $ |
| 62500+ | 1,290 $ |
| 125000+ | 1,170 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
6 075,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4559ADY-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande75M5474
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel5.3A
Continuous Drain Current Id P Channel5.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.046ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.046ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel3.4W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SI4559ADY-T1-E3 is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for CCFL inverter applications.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Applications
Industrial, Power Management
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.046ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.4W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.046ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI4559ADY-T1-E3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit