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SI4559ADY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
| Fabricant | VISHAY |
|---|---|
| Réf. Fabricant | SI4559ADY-T1-GE3Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 8 semaines |
| Code Commande | Bobine complète85W3210 Bandes découpées16P3742 |
| Gamme de produit | Trench Series |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
2 500 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 2500 | 2,790 $ | 6 975,00 $ |
| Total Prix | 6 975,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 2,790 $ |
| 5000+ | 2,500 $ |
| 7500+ | 2,290 $ |
| 12500+ | 2,090 $ |
| 25000+ | 1,860 $ |
| 62500+ | 1,650 $ |
| 125000+ | 1,540 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,180 $ |
| 5000+ | 1,110 $ |
| 7500+ | 1,050 $ |
| 12500+ | 0,945 $ |
| 25000+ | 0,907 $ |
| 62500+ | 0,875 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | VISHAY |
|---|---|
| Réf. Fabricant | SI4559ADY-T1-GE3Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 8 semaines |
| Code Commande | Bobine complète85W3210 Bandes découpées16P3742 |
| Gamme de produit | Trench Series |
| Fiche technique | |
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 60V |
| Continuous Drain Current Id | 4.5A |
| Drain Source Voltage Vds | 60V |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 60V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 5.3A |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 5.3A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.046ohm |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.046ohm |
| Transistor Case Style | SOIC |
| No. of Pins | 8Pins |
| Power Dissipation N Channel | 3.1W |
| Power Dissipation P Channel | 3.1W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | Trench Series |
| Qualification | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (10-Jun-2022) |
Spécifications techniques
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 4.5A |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 60V |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 5.3A |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.046ohm |
| No. of Pins | 8Pins |
| Power Dissipation P Channel | 3.1W |
| Product Range | Trench Series |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 60V |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 60V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 5.3A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.046ohm |
| Transistor Case Style | SOIC |
| Power Dissipation N Channel | 3.1W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (10-Jun-2022) |
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI4559ADY-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Y-Ex RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (10-Jun-2022) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
| Traçabilité des produits |