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SI4564DY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4564DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3889
Mise en bobine05W6946RL
Bandes découpées05W6946
Votre numéro de pièce
2 157 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 3,180 $ | 3,18 $ |
| Total Prix | 3,18 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,180 $ |
| 50+ | 1,770 $ |
| 100+ | 1,580 $ |
| 250+ | 1,460 $ |
| 500+ | 1,330 $ |
| 1000+ | 1,300 $ |
| 2500+ | 1,130 $ |
| 5000+ | 1,100 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,838 $ |
| 7500+ | 0,806 $ |
| 12500+ | 0,790 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4564DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3889
Mise en bobine05W6946RL
Bandes découpées05W6946
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel10A
Continuous Drain Current Id P Channel10A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0145ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0145ohm
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
SVHCLead (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
The SI4564DY-T1-GE3 is a 40V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
10A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0145ohm
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
10A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0145ohm
Power Dissipation P Channel
3.1W
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI4564DY-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits