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SI4835DDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 8.7 A, 0.018 ohm, SOIC, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 33 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,893 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
2 232,50 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4835DDY-T1-GE3
Code Commande15R5091
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8.7A
Drain Source On State Resistance0.018ohm
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- P-channel 30V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
- Applicable for load switches, notebook PCs and desktop PCs
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
8.7A
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit