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SI4850BDY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 11.3A, SOIC
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4850BDY-T1-GE3
Code Commande50AC9665
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
12 114 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,670 $ |
| 25+ | 1,480 $ |
| 100+ | 1,190 $ |
| 500+ | 1,060 $ |
| 1000+ | 0,818 $ |
| 2500+ | 0,783 $ |
| 5000+ | 0,752 $ |
| 10000+ | 0,744 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,67 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4850BDY-T1-GE3
Code Commande50AC9665
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id11.3A
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd4.5W
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation4.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11.3A
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
4.5W
Power Dissipation
4.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4850BDY-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits