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SI4936BDY-T1-E3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 100+ | 1,880 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
4 700,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4936BDY-T1-E3Copie
Code Commande75M5505
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id6.9A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel6.8A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.035ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.035ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit