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SI4946CDY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 6.1 A, 0.033 ohm, SOIC, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,710 $ |
| 10+ | 1,130 $ |
| 25+ | 1,090 $ |
| 50+ | 0,934 $ |
| 100+ | 0,782 $ |
| 250+ | 0,777 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4946CDY-T1-GE3
Code Commande50AC9666
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id6.1A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel6.1A
Continuous Drain Current Id P Channel6.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.033ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.8W
Power Dissipation P Channel2.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
Dual N-channel 60V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC converter, load switch, inverters and circuit protection applications.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.033ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.8W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
6.1A
Continuous Drain Current Id N Channel
6.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4946CDY-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit