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SI4948BEY-T1-E3.
Dual MOSFET, Dual P Channel, 60 V, 2.4 A
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 8 semaine(s)
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,898 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
2 245,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4948BEY-T1-E3.Copie
Code Commande28AC2152
Fiche technique
Channel TypeDual P Channel
Continuous Drain Current Id2.4A
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel2.4A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.12ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.12ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
2.4A
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit