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SI4948BEY-T1-E3
Dual MOSFET, P Channel, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 100 mohm
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4948BEY-T1-E3Copie
Code Commande
Mise en bobine57J5688
Bandes découpées57J5688
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,640 $ | 1,64 $ |
| Total Prix | 1,64 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,640 $ |
| 10+ | 1,160 $ |
| 25+ | 1,070 $ |
| 50+ | 0,976 $ |
| 100+ | 0,887 $ |
| 250+ | 0,794 $ |
| 500+ | 0,702 $ |
| 1000+ | 0,620 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4948BEY-T1-E3Copie
Code Commande
Mise en bobine57J5688
Bandes découpées57J5688
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id2.4A
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel2.4A
Continuous Drain Current Id P Channel2.4A
Drain Source On State Resistance N Channel100mohm
Drain Source On State Resistance P Channel100mohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Aperçu du produit
The SI4948BEY-T1-E3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- TrenchFET® power MOSFET
Applications
Industrial, Power Management
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.4A
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
100mohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
100mohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (10-Jun-2022)
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Certificat de conformité du produit