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SI5471DC-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 6A, 1206
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 39 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,990 $ | 1,99 $ |
| Total Prix | 1,99 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,990 $ |
| 50+ | 1,020 $ |
| 100+ | 0,923 $ |
| 250+ | 0,840 $ |
| 500+ | 0,756 $ |
| 1000+ | 0,741 $ |
| 2500+ | 0,726 $ |
| 5000+ | 0,710 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI5471DC-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Mise en bobine57AJ0449RL
Bandes découpées57AJ0449
Gamme de produitTrench
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Transistor Case Style1206
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation Pd6.3W
Power Dissipation6.3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Case Style
1206
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
6.3W
No. of Pins
8Pins
Product Range
Trench
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
Power Dissipation
6.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit