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SI5935CDC-T1-GE3
MOSFET, DUAL P-CH, -20V, -4A, CHIPFET
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI5935CDC-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète05AC9501
Mise en bobine01AC5000RL
Bandes découpées01AC5000
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 39 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,330 $ | 6,65 $ |
| Total Prix | 6,65 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,330 $ |
| 10+ | 0,673 $ |
| 15+ | 0,656 $ |
| 25+ | 0,641 $ |
| 50+ | 0,624 $ |
| 125+ | 0,607 $ |
| 250+ | 0,595 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,527 $ |
| 5000+ | 0,517 $ |
| 10000+ | 0,487 $ |
| 20000+ | 0,460 $ |
| 30000+ | 0,438 $ |
| 50000+ | 0,423 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI5935CDC-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète05AC9501
Mise en bobine01AC5000RL
Bandes découpées01AC5000
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.083ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.083ohm
Transistor Case StyleChipFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.083ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
4A
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.083ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit