Imprimer la page
SI5935CDC-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.083 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI5935CDC-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3916
Bandes découpées69W7212
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 37 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 0,378 $ | 1 134,00 $ |
| Total Prix | 1 134,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,378 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,304 $ |
| 5000+ | 0,297 $ |
| 10000+ | 0,274 $ |
| 20000+ | 0,255 $ |
| 30000+ | 0,238 $ |
| 50000+ | 0,228 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI5935CDC-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3916
Bandes découpées69W7212
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.083ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.083ohm
Transistor Case StyleChipFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.083ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.083ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI5935CDC-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit