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SI6423DQ-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 9.5 A, 0.0085 ohm, TSSOP, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 11 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 1,250 $ |
| 4000+ | 1,130 $ |
| 6000+ | 1,100 $ |
| 10000+ | 1,060 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
3 750,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI6423DQ-T1-GE3
Code Commande16P3801
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id9.5A
On Resistance Rds(on)0.0068ohm
Drain Source On State Resistance0.0085ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.05W
Rds(on) Test Voltage8V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Transistor Case StyleTSSOP
Power Dissipation1.05W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Aperçu du produit
- P-channel 12V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- Used in load switch
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
On Resistance Rds(on)
0.0068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
8V
Transistor Case Style
TSSOP
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
9.5A
Drain Source On State Resistance
0.0085ohm
Power Dissipation Pd
1.05W
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation
1.05W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit