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SI6423DQ-T1-GE3.
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 9.5 A, 0.0068 ohm, TSSOP, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 1,210 $ |
| 4000+ | 1,100 $ |
| 6000+ | 1,060 $ |
| 10000+ | 1,030 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
3 630,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI6423DQ-T1-GE3.
Code Commande30AC0179
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id9.5A
Drain Source On State Resistance0.0068ohm
On Resistance Rds(on)0.0068ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.05W
Rds(on) Test Voltage8V
Transistor Case StyleTSSOP
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation1.05W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.0068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
8V
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
9.5A
On Resistance Rds(on)
0.0068ohm
Power Dissipation Pd
1.05W
Transistor Case Style
TSSOP
Power Dissipation
1.05W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit