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SI6423DQ-T1-GE3
PWR MOSFET, P CHANNEL, 12V, 8.2A
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI6423DQ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande97W2676
Votre numéro de pièce
2 186 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,330 $ |
| 10+ | 2,800 $ |
| 25+ | 2,620 $ |
| 50+ | 2,450 $ |
| 100+ | 2,210 $ |
| 500+ | 2,030 $ |
| 1000+ | 1,820 $ |
| 2500+ | 1,690 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,33 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI6423DQ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande97W2676
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id8.2A
Drain Source On State Resistance8500µohm
On Resistance Rds(on)0.0068ohm
Transistor Case StyleTSSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage1.8V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation1.05W
Power Dissipation Pd1.05W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
- P-channel 12V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- Used in load switch
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
8500µohm
Transistor Case Style
TSSOP
Rds(on) Test Voltage
1.8V
Power Dissipation
1.05W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
8.2A
On Resistance Rds(on)
0.0068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation Pd
1.05W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit