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SI6913DQ-T1-GE3
MOSFET, DUAL, P-CH, -12V, -4.9A, TSSOP-8
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 279 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,600 $ |
| 10+ | 2,220 $ |
| 25+ | 2,090 $ |
| 50+ | 1,950 $ |
| 100+ | 1,820 $ |
| 250+ | 1,710 $ |
| 500+ | 1,610 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,60 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI6913DQ-T1-GE3
Code Commande04AJ4590
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Continuous Drain Current Id4.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel4.9A
Continuous Drain Current Id P Channel4.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.016ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.016ohm
Transistor Case StyleTSSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel830mW
Power Dissipation P Channel830mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.016ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
830mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
12V
Continuous Drain Current Id
4.9A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.016ohm
Transistor Case Style
TSSOP
Power Dissipation N Channel
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits