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SI6913DQ-T1-GE3
MOSFET, DUAL, P-CH, -12V, -4.9A, TSSOP-8
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI6913DQ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande
Bobine complète16P3808
Mise en bobine04AJ4590RL
Bandes découpées04AJ4590
Votre numéro de pièce
1 227 En Stock
1 227 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,190 $ | 4,19 $ |
| Total Prix | 4,19 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,190 $ |
| 10+ | 2,660 $ |
| 25+ | 2,380 $ |
| 50+ | 2,090 $ |
| 100+ | 1,890 $ |
| 250+ | 1,770 $ |
| 500+ | 1,660 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,480 $ |
| 4000+ | 1,330 $ |
| 6000+ | 1,280 $ |
| 10000+ | 1,230 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI6913DQ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande
Bobine complète16P3808
Mise en bobine04AJ4590RL
Bandes découpées04AJ4590
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel4.9A
Continuous Drain Current Id P Channel4.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.016ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.016ohm
Transistor Case StyleTSSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel830mW
Power Dissipation P Channel830mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.016ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
830mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Continuous Drain Current Id
4.9A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.016ohm
Transistor Case Style
TSSOP
Power Dissipation N Channel
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI6913DQ-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit