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SI7106DN-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 19.5 A, 0.0098 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 1,510 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
4 530,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7106DN-T1-E3
Code Commande51K6978
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id19.5A
Drain Source On State Resistance0.0098ohm
On Resistance Rds(on)0.0098ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.5W
Rds(on) Test Voltage12V
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0098ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
12V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
19.5A
On Resistance Rds(on)
0.0098ohm
Power Dissipation Pd
1.5W
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit