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SI7111EDN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -30V, -60A, POWERPAK1212
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 39 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,130 $ | 2,13 $ |
| Total Prix | 2,13 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,130 $ |
| 50+ | 1,330 $ |
| 100+ | 0,889 $ |
| 250+ | 0,795 $ |
| 500+ | 0,701 $ |
| 1000+ | 0,619 $ |
| 2500+ | 0,573 $ |
| 5000+ | 0,525 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7111EDN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Mise en bobine99Y9657RL
Bandes découpées99Y9657
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance7200µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
7200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SI7111EDN-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit