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SI7114ADN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 18.3 A, 0.0075 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 34 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,593 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 779,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7114ADN-T1-GE3
Code Commande16P3822
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id18.3A
On Resistance Rds(on)0.01ohm
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.7W
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Power Dissipation3.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.01ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
20V
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
18.3A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Power Dissipation Pd
3.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
3.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7114ADN-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit