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SI7143DP-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 35 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7143DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Mise en bobine04X9767
Bandes découpées04X9767
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,310 $ | 2,31 $ |
| Total Prix | 2,31 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,310 $ |
| 25+ | 1,820 $ |
| 50+ | 1,630 $ |
| 100+ | 1,420 $ |
| 250+ | 1,310 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7143DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Mise en bobine04X9767
Bandes découpées04X9767
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.01ohm
On Resistance Rds(on)0.0083ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd35.7W
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Power Dissipation35.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
35.7W
Transistor Case Style
PowerPAK SO
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
On Resistance Rds(on)
0.0083ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation
35.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7143DP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit