Imprimer la page
SI7232DN-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7232DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète15R5185
Mise en bobine57AJ0462RL
Bandes découpées57AJ0462
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
135 En Stock
135 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,190 $ | 2,19 $ |
| Total Prix | 2,19 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,190 $ |
| 10+ | 1,380 $ |
| 25+ | 1,220 $ |
| 50+ | 1,070 $ |
| 100+ | 0,909 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,737 $ |
| 5000+ | 0,724 $ |
| 10000+ | 0,682 $ |
| 20000+ | 0,646 $ |
| 30000+ | 0,613 $ |
| 50000+ | 0,593 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7232DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète15R5185
Mise en bobine57AJ0462RL
Bandes découpées57AJ0462
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel25A
Continuous Drain Current Id P Channel25A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0135ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0135ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel23W
Power Dissipation P Channel23W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
25A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0135ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
23W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
25A
Continuous Drain Current Id N Channel
25A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0135ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
23W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7232DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit