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SI7309DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 8 A, 0.115 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,674 $ |
| 4000+ | 0,606 $ |
| 6000+ | 0,584 $ |
| 10000+ | 0,571 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
2 022,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7309DN-T1-GE3
Code Commande33P5391
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8A
On Resistance Rds(on)0.146ohm
Drain Source On State Resistance0.115ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.2W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Power Dissipation3.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Aperçu du produit
The SI7309DN-T1-GE3 is a 60VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for CCFL inverter and class-D amplifier applications.
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.146ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source On State Resistance
0.115ohm
Power Dissipation Pd
3.2W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
3.2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit