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SI7336ADP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 30 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7336ADP-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine12R3257
Bandes découpées12R3257
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2 988 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,440 $ | 5,44 $ |
| Total Prix | 5,44 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,440 $ |
| 25+ | 3,730 $ |
| 50+ | 3,370 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7336ADP-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine12R3257
Bandes découpées12R3257
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.003ohm
On Resistance Rds(on)0.0024ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd5.4W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Power Dissipation5.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.003ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
PowerPAK SO
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.0024ohm
Power Dissipation Pd
5.4W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
5.4W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit