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SI7431DP-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 3.8 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 42 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 2,550 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
7 650,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7431DP-T1-E3
Code Commande71T8054
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source On State Resistance0.174ohm
On Resistance Rds(on)0.145ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.9W
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
P-channel 200V (D-S) MOSFET for use in active clamp in intermediate, DC/DC power supplies.
- TrenchFET® power MOSFET
- Ultra-low on-resistance critical for application
- Low thermal resistance PowerPAK® package with Low 1.07mm profile
- 100% Rg and avalanche tested
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.174ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
20V
Transistor Case Style
PowerPAK SO
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
On Resistance Rds(on)
0.145ohm
Power Dissipation Pd
1.9W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7431DP-T1-E3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit