Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7431DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant64 semaines
Code Commande
Bobine complète74R0233
Mise en bobine23T8525
Bandes découpées23T8525
Votre numéro de pièce
2 878 En Stock
2 878 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 68,630 $ | 68,63 $ |
| Total Prix | 68,63 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 68,630 $ |
| 10+ | 64,240 $ |
| 25+ | 60,500 $ |
| 50+ | 55,440 $ |
| 100+ | 50,160 $ |
| 250+ | 43,550 $ |
| 500+ | 34,550 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 4,310 $ |
| 4000+ | 4,080 $ |
| 8000+ | 3,870 $ |
| 12000+ | 3,770 $ |
| 20000+ | 3,720 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7431DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant64 semaines
Code Commande
Bobine complète74R0233
Mise en bobine23T8525
Bandes découpées23T8525
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id2.2A
On Resistance Rds(on)0.145ohm
Drain Source On State Resistance0.174ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd5.4W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation5.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.145ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
5.4W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Drain Source On State Resistance
0.174ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SI7431DP-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
