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SI7431DP-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7431DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant62 semaines
Code Commande
Bobine complète74R0233
Mise en bobine84R8074RL
Bandes découpées84R8074
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 6,970 $ | 6,97 $ |
| Total Prix | 6,97 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,970 $ |
| 50+ | 4,620 $ |
| 100+ | 3,710 $ |
| 250+ | 3,400 $ |
| 500+ | 3,090 $ |
| 1000+ | 2,940 $ |
| 2500+ | 2,840 $ |
| 5000+ | 2,730 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 3,810 $ |
| 9000+ | 3,740 $ |
| 15000+ | 3,650 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7431DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant62 semaines
Code Commande
Bobine complète74R0233
Mise en bobine84R8074RL
Bandes découpées84R8074
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.174ohm
On Resistance Rds(on)0.145ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd5.4W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation5.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
The SI7431DP-T1-GE3 is a 200VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp in intermediate DC-to-DC power supply applications.
- Ultra-low ON-resistance
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.174ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
On Resistance Rds(on)
0.145ohm
Power Dissipation Pd
5.4W
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation
5.4W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7431DP-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit