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SI7439DP-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 150 V, 5.2 A, 0.09 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7439DP-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Bobine complète45X9557
Bobine complète86AK6319
Mise en bobine57J5732RL
Bandes découpées57J5732
Votre numéro de pièce
1 137 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 7,310 $ | 7,31 $ |
| Total Prix | 7,31 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,310 $ |
| 50+ | 4,860 $ |
| 100+ | 3,460 $ |
| 250+ | 3,270 $ |
| 500+ | 3,050 $ |
| 1000+ | 2,850 $ |
| 2500+ | 2,670 $ |
| 5000+ | 2,470 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 3,770 $ |
| 4000+ | 0,345 $ |
| 8000+ | 0,321 $ |
| 9000+ | 3,700 $ |
| 12000+ | 0,309 $ |
| 15000+ | 3,610 $ |
| 20000+ | 0,305 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7439DP-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Bobine complète45X9557
Bobine complète86AK6319
Mise en bobine57J5732RL
Bandes découpées57J5732
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id5.2A
On Resistance Rds(on)0.073ohm
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.9W
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SI7439DP-T1-E3 is a 150VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp in intermediate DC-to-DC power supply applications.
- Ultra-low ON-resistance
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- Avalanche tested
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.073ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
20V
Transistor Case Style
PowerPAK SO
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Power Dissipation Pd
1.9W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7439DP-T1-E3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit