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SI7439DP-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 150 V, 5.2 A, 0.09 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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| Fabricant | VISHAY |
|---|---|
| Réf. Fabricant | SI7439DP-T1-E3Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 54 semaines |
| Code Commande | Bobine complète45X9557 Mise en bobine57J5732RL Bandes découpées57J5732 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
400 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 7,710 $ | 7,71 $ |
| Total Prix | 7,71 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,710 $ |
| 50+ | 5,070 $ |
| 100+ | 3,840 $ |
| 250+ | 3,630 $ |
| 500+ | 3,410 $ |
| 1000+ | 3,220 $ |
| 2500+ | 3,060 $ |
| 5000+ | 2,890 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 3,890 $ |
| 6000+ | 3,820 $ |
| 9000+ | 3,730 $ |
| 15000+ | 3,660 $ |
| 30000+ | 3,580 $ |
| 75000+ | 3,510 $ |
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Informations produit
| Fabricant | VISHAY |
|---|---|
| Réf. Fabricant | SI7439DP-T1-E3Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 54 semaines |
| Code Commande | Bobine complète45X9557 Mise en bobine57J5732RL Bandes découpées57J5732 |
| Fiche technique | |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 150V |
| Continuous Drain Current Id | 5.2A |
| On Resistance Rds(on) | 0.073ohm |
| Drain Source On State Resistance | 0.09ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Power Dissipation Pd | 1.9W |
| Rds(on) Test Voltage | 20V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Transistor Case Style | PowerPAK SO |
| Power Dissipation | 1.9W |
| No. of Pins | 8Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (21-Jan-2025) |
Aperçu du produit
The SI7439DP-T1-E3 is a 150VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp in intermediate DC-to-DC power supply applications.
- Ultra-low ON-resistance
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- Avalanche tested
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
| Transistor Polarity | P Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 150V |
| On Resistance Rds(on) | 0.073ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 20V |
| Transistor Case Style | PowerPAK SO |
| No. of Pins | 8Pins |
| Qualification | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Channel Type | P Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 5.2A |
| Drain Source On State Resistance | 0.09ohm |
| Power Dissipation Pd | 1.9W |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Power Dissipation | 1.9W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| SVHC | No SVHC (21-Jan-2025) |
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7439DP-T1-E3
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Y-Ex RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (21-Jan-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
| Traçabilité des produits |