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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7461DP-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine49AM1987RL
Bandes découpées49AM1987
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 54 semaine(s)
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,030 $ | 5,03 $ |
| Total Prix | 5,03 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,030 $ |
| 50+ | 3,270 $ |
| 100+ | 2,270 $ |
| 250+ | 2,060 $ |
| 500+ | 1,850 $ |
| 1000+ | 1,820 $ |
| 2500+ | 1,780 $ |
| 5000+ | 1,730 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7461DP-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine49AM1987RL
Bandes découpées49AM1987
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8.6A
Drain Source On State Resistance0.0145ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8.6A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0145ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
