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SI7469DP-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 9 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,120 $ |
| 1000+ | 2,010 $ |
| 2000+ | 1,890 $ |
| 4000+ | 1,710 $ |
| 6000+ | 1,650 $ |
| 10000+ | 1,580 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,12 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7469DP-T1-E3
Code Commande29X0547
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd83W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SI7469DP-T1-E3 is a -80V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
83W
Transistor Case Style
PowerPAK SO
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
28A
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit