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SI7540ADP-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 8 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7540ADP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète76Y1495
Mise en bobine10AC9119
Bandes découpées10AC9119
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
137 044 En Stock
137 044 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,810 $ | 3,81 $ |
| Total Prix | 3,81 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,810 $ |
| 25+ | 2,450 $ |
| 50+ | 2,060 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 1,460 $ |
| 10000+ | 1,430 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7540ADP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète76Y1495
Mise en bobine10AC9119
Bandes découpées10AC9119
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id8A
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0115ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0115ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
N- and P-channel 20V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC converters, synchronous buck converter, synchronous rectifier, load switch and motor drive switch.
- TrenchFET® power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK®
- 100% Rg tested
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
8A
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0115ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0115ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7540ADP-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit