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SI7617DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7617DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Mise en bobine49AM1990RL
Bandes découpées49AM1990
Votre numéro de pièce
5 498 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,070 $ | 2,07 $ |
| Total Prix | 2,07 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,070 $ |
| 50+ | 1,310 $ |
| 100+ | 0,869 $ |
| 250+ | 0,774 $ |
| 500+ | 0,679 $ |
| 1000+ | 0,618 $ |
| 2500+ | 0,578 $ |
| 5000+ | 0,538 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7617DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Mise en bobine49AM1990RL
Bandes découpées49AM1990
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.0123ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0123ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7617DN-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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