Imprimer la page
SI7619DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7619DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3926
Mise en bobine70AC6514
Bandes découpées70AC6514
Votre numéro de pièce
3 000 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison standard gratuite
pour les commandes de plus de 200$
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,120 $ | 1,12 $ |
| Total Prix | 1,12 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,120 $ |
| 25+ | 0,933 $ |
| 50+ | 0,829 $ |
| 100+ | 0,723 $ |
| 250+ | 0,684 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,530 $ |
| 5000+ | 0,518 $ |
| 10000+ | 0,478 $ |
| 20000+ | 0,445 $ |
| 30000+ | 0,415 $ |
| 50000+ | 0,398 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7619DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3926
Mise en bobine70AC6514
Bandes découpées70AC6514
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source On State Resistance0.021ohm
On Resistance Rds(on)0.0175ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd27.8W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation27.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
24A
On Resistance Rds(on)
0.0175ohm
Power Dissipation Pd
27.8W
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation
27.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7619DN-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (10-Jun-2022)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit