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SI7716ADN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 16 A, 0.0135 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7716ADN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande
Bobine complète16P3860
Bandes découpées18X0024
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 27 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 0,806 $ | 2 418,00 $ |
| Total Prix | 2 418,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,806 $ |
| 6000+ | 0,790 $ |
| 9000+ | 0,774 $ |
| 15000+ | 0,758 $ |
| 30000+ | 0,742 $ |
| 75000+ | 0,726 $ |
| 150000+ | 0,709 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,090 $ |
| 6000+ | 1,070 $ |
| 9000+ | 1,040 $ |
| 15000+ | 1,020 $ |
| 30000+ | 1,000 $ |
| 75000+ | 0,978 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7716ADN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande
Bobine complète16P3860
Bandes découpées18X0024
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.0135ohm
On Resistance Rds(on)0.0105ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd27.7W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Power Dissipation27.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SI7716ADN-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC conversion applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
27.7W
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
On Resistance Rds(on)
0.0105ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
27.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit