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SI7738DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7738DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande16P3864
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 37 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 3,110 $ |
| 9000+ | 3,050 $ |
| 15000+ | 2,980 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
9 330,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7738DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande16P3864
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.038ohm
Drain Source On State Resistance0.038ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Power Dissipation Pd5.4W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation5.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.038ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5.4W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.038ohm
Rds(on) Test Voltage
20V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
5.4W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit