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SI7846DP-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 6.7 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 8 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 2,560 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
7 680,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7846DP-T1-E3
Code Commande06J8169
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id6.7A
On Resistance Rds(on)0.041ohm
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.9W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.7A
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Power Dissipation Pd
1.9W
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit