Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7852DP-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète29X0550
Mise en bobine06J8172RL
Bandes découpées06J8172
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
3 000 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison standard gratuite
pour les commandes de plus de 200$
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,680 $ | 5,68 $ |
| Total Prix | 5,68 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,680 $ |
| 50+ | 3,990 $ |
| 100+ | 3,040 $ |
| 250+ | 2,860 $ |
| 500+ | 2,660 $ |
| 1000+ | 2,600 $ |
| 2500+ | 2,550 $ |
| 5000+ | 2,510 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,830 $ |
| 9000+ | 1,820 $ |
| 15000+ | 1,780 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7852DP-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète29X0550
Mise en bobine06J8172RL
Bandes découpées06J8172
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id7.6A
Drain Source On State Resistance0.0165ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
The SI7852DP-T1-E3 is a 80VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch applications.
- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- PWM optimized
- Fast switching
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.6A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0165ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7852DP-T1-E3
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
