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SI7858BDP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 12V, 40A, POWERPAK SO
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1 518 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,650 $ | 3,65 $ |
| Total Prix | 3,65 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,650 $ |
| 50+ | 2,490 $ |
| 100+ | 1,830 $ |
| 250+ | 1,690 $ |
| 500+ | 1,540 $ |
| 1000+ | 1,460 $ |
| 2500+ | 1,410 $ |
| 5000+ | 1,360 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7858BDP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Mise en bobine57AJ0468RL
Bandes découpées57AJ0468
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id40A
On Resistance Rds(on)0.002ohm
Drain Source On State Resistance2000µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation48W
Power Dissipation Pd48W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
On Resistance Rds(on)
0.002ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
48W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
2000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7858BDP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit