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SI7994DP-T1-GE3
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 60A, SOIC
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7994DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande97W2715
Votre numéro de pièce
4 240 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,270 $ |
| 10+ | 5,150 $ |
| 25+ | 4,740 $ |
| 50+ | 4,340 $ |
| 100+ | 3,940 $ |
| 500+ | 3,520 $ |
| 1000+ | 3,480 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
7,27 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7994DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande97W2715
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel4600µohm
Drain Source On State Resistance P Channel4600µohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.5W
Power Dissipation P Channel3.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
4600µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.5W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
4600µohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit