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SI7997DP-T1-GE3
MOSFET, DUAL P-CH, -20.8V, POWERPAK SO
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7997DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Bobine complète05AC9510
Mise en bobine01AC5009RL
Bandes découpées01AC5009
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
5 915 En Stock
5 915 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 1 | 2,490 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 2,49 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,880 $ |
| 50+ | 3,200 $ |
| 100+ | 2,240 $ |
| 250+ | 2,100 $ |
| 500+ | 1,950 $ |
| 1000+ | 1,830 $ |
| 2500+ | 1,790 $ |
| 5000+ | 1,760 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 2,490 $ |
| 4000+ | 2,300 $ |
| 6000+ | 2,240 $ |
| 10000+ | 2,170 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7997DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Bobine complète05AC9510
Mise en bobine01AC5009RL
Bandes découpées01AC5009
Gamme de produitTrenchFET Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel4500µohm
Drain Source On State Resistance P Channel4500µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel46W
Power Dissipation P Channel46W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
4500µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
46W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
60A
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
4500µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
46W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SI7997DP-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit