Imprimer la page
SI8424CDB-T1-E1
MOSFET, N-CH, 8V, 10A, MICRO FOOT
17 400 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,260 $ |
| 10+ | 0,789 $ |
| 25+ | 0,697 $ |
| 50+ | 0,604 $ |
| 100+ | 0,512 $ |
| 250+ | 0,452 $ |
| 500+ | 0,392 $ |
| 1000+ | 0,353 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
6,30 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI8424CDB-T1-E1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande01AC5010
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id10A
On Resistance Rds(on)0.015ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleMICRO FOOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation2.7W
Power Dissipation Pd2.7W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
On Resistance Rds(on)
0.015ohm
Transistor Case Style
MICRO FOOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.7W
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation Pd
2.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit