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SI8800EDB-T2-E1
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2.8 A, 66 mohm, MICRO FOOT, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,251 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
753,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI8800EDB-T2-E1
Code Commande69W7244
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.8A
On Resistance Rds(on)0.066ohm
Drain Source On State Resistance66mohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd900mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleMICRO FOOT
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation900mW
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.066ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.8A
Drain Source On State Resistance
66mohm
Power Dissipation Pd
900mW
Transistor Case Style
MICRO FOOT
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI8800EDB-T2-E1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit