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750 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,837 $ |
10+ | 0,647 $ |
25+ | 0,590 $ |
50+ | 0,533 $ |
100+ | 0,476 $ |
250+ | 0,429 $ |
500+ | 0,380 $ |
1000+ | 0,331 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,18 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI8817DB-T2-E1
Code Commande57AJ0479
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.9A
On Resistance Rds(on)0.061ohm
Drain Source On State Resistance0.061ohm
Transistor Case StyleMICRO FOOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd900mW
Power Dissipation900mW
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.061ohm
Transistor Case Style
MICRO FOOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
900mW
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.9A
Drain Source On State Resistance
0.061ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI8817DB-T2-E1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits